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电子元器件详细资料 » IC[80] » MUN5230DW1T1
型号:MUN5230DW1T1类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:ON Semiconductor
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧2221k
电阻器_发射极(R2)111欧2221k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)3 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222250mV @ 5mA,10mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换-
功率_最大250mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市科思奇电子科技有限公司林小姐/朱先生0755-83245050/82785939
深圳市展鹏富裕科技有限公司陈丹0755-82573702
深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
深圳市灿亿佳电子科技有限公司肖佳欣13424184668
济南誉光微电电子科技有限公司王小姐0531-88891493
上海鑫丰电子技术有限公司陈小姐 张先生086-021-51875986/51872153
深圳市金亿泰电子有限公司郑086-755-83252273
深圳市宇明芯科技有限公司李小姐0755-83051566
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